Transistor MOSFET SI2305DS Canal P SOT-23

Descrição

Funcionamento

MOSFET de canal P em encapsulamento SOT-23 SMD de três pinos. Em canal P, a condução ocorre quando a tensão gate-source (Vgs) é suficientemente negativa em relação ao threshold (Vgs(th) < 0), formando um canal de lacunas entre source e dreno. É naturalmente adequado para chaveamento no lado positivo da alimentação (high-side switching), onde o source está conectado ao rail de tensão e o gate é controlado abaixo desse nível. O encapsulamento SOT-23 é compacto para integração em PCBs de densidade elevada.

Características Técnicas

• Canal: P
• Encapsulamento: SOT-23 SMD
• Tensão dreno-source (Vds): conforme datasheet SI2305DS
• Corrente de dreno (Id): conforme datasheet SI2305DS

Aplicações Típicas

• Chaveamento high-side em circuitos de controle de energia
• Proteção de polaridade reversa em carregadores e fontes portáteis
• Controle de habilitação de carga em dispositivos alimentados por bateria
• Conversores de tensão compactos em aplicações de baixa potência