Transistor MOSFET SI2305DS Canal P SOT-23
R$ 1,13
O Transistor Mosfet SI2305DS SOT23 é um MOSFET de canal P, amplamente utilizado para controle de corrente em circuitos eletrônicos. Com especificações detalhadas no datasheet, é ideal para amplificação e controle de potência.
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Descrição
Funcionamento
MOSFET de canal P em encapsulamento SOT-23 SMD de três pinos. Em canal P, a condução ocorre quando a tensão gate-source (Vgs) é suficientemente negativa em relação ao threshold (Vgs(th) < 0), formando um canal de lacunas entre source e dreno. É naturalmente adequado para chaveamento no lado positivo da alimentação (high-side switching), onde o source está conectado ao rail de tensão e o gate é controlado abaixo desse nível. O encapsulamento SOT-23 é compacto para integração em PCBs de densidade elevada.
Características Técnicas
- Canal: P
- Encapsulamento: SOT-23 SMD
- Tensão dreno-source (Vds): conforme datasheet SI2305DS
- Corrente de dreno (Id): conforme datasheet SI2305DS
Aplicações Típicas
- Chaveamento high-side em circuitos de controle de energia
- Proteção de polaridade reversa em carregadores e fontes portáteis
- Controle de habilitação de carga em dispositivos alimentados por bateria
- Conversores de tensão compactos em aplicações de baixa potência
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